Ag/Azure A/n-Si ve Ag/Azure C/n-Si yapıların fotovoltaik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada (100) doğrultusunda büyütülmüş iki yüzeyi parlatılmış n-tipi Si waferin bir yüzeyine omik kontak olarak Al metali buharlaştırıldıktan sonra tavlanarak numune üç parçaya ayrıldı. Referans (Ag/n-Si/Al), Azure A mavisi kullanılıp (Ag/Azure A/n-Si/Al) ve Azure C kullanılarak (Ag/AzureC/n-Si/Al) schottky diyotları elde edilmiştir. Elde edilen Schottky diyotların karanlıkta akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındıktan sonra fotovoltaik özellikleri için solar simulator 100 mW/cm2 ışık yoğunluğu altında I-V ölçümleri alınmıştır. Karanlıkta yapılan ölçümlerden karakteristik diyot parametreleri olan idealite faktörü ile engel yükseklikleri; referans numune için 1,60-0,81 eV, Ag/Azure A/n-Si numunesi için 1,78- 0,79 eV ve Ag/Azure C/n-Si numunesi için 1,89-0,78 eV olarak sırasıyla elde edilmiştir. Norde fonksiyonları ile Cheung fonksiyonlarından bazı diyot parametreleri hesaplanarak sonuçlar karşılaştırılmıştır. Ayrıca 100 mW/cm2 ışık yoğunluğu altında fotovoltaik parametreler hesaplanmıştır. Elde edilen sonuçlardan diyotların verimleri düşük olmakla beraber fotovoltaik özellik gösterdiği görülmüştür.

In this work, two-sided polished Si wafer used grown in the direction of (100). Al metal was evaporated as an ohmic contact on one surface, and then annealed to separate the sample into three pieces. Schottky diodes were obtained using reference (Ag / n-Si / Al), Azure A (Ag /Azure A / n-Si /Al) and AzureC (Ag/AzureC / n-Si / Al). Current-voltage measurements were obtained Schottky diodes in the dark and under a light intensity of 100 mW/cm2 for photovoltaic properties. The ideality factor and the barrier heightswere calculatedfrom current-voltage measurements in the dark; 1.81, 0.81 eV for the reference sample, 1.78, 0.79 eV for the Ag/Azure A/n-Si sample and 1.89, 0.78 eV for the Ag/Azure C/n-Si sample respectively. Some diode parameters wereobtained from Norde functions and Cheung functions and the results are compared. Photovoltaic parameters were also calculated under a light intensity of 100 mW/cm2. From the results it was seen that the diodes show low efficiency and photovoltaic properties.