https://acikerisim.bingol.edu.tr/handle/20.500.12898/1361 Physics 2026-09-16T14:48:34Z https://acikerisim.bingol.edu.tr/handle/20.500.12898/6334 Farklı Oranlarda Bizmut Tungstat veya Kalay İle Katkılanmış Polimer Kompozitlerin Radyasyon Zırhlama Özelliklerinin İncelenmesi YILMAZ, Meryem ÖZET: Bu çalışmada; polimer kompozitlerde radyasyon zırhlama özelliklerini geliştirmek için kompozit içine inorganik bileşikler katkılanmıştır. Katkılanan inorganik bileşikler malzemenin etkin atom numarasını ve yoğunluğunu artıracak doğrultuda hedeflendiğinden, üretilen kompozitlerin radyasyon zırhlama özelliğinde bir artış olmasına sebep olmuştur. Çalışmamızda bu artışın eğilimi farklı oranlarda inorganik bileşikler kompozitlere katkılanarak incelenmiştir. Deneysel çalışmalarda doymamış polyester tabanlı ve inorganik bileşikler ile katkılanmış polimer kompozitler hazırlanmıştır ve bunların gama radyasyonu azaltma özelikleri incelenmiştir. Doymamış polyester reçine ile metil etil keton peroksit (MEKP) ve kobalt oktoat (%6) birleştirilerek bir polimer matriks hazırlanmış ve bu polimer matrikse dolgu malzemesi olarak Bi2(WO4)3 veya Sn malzemeleri belirli oranlarda katkılanmıştır. Elde edilen polimer kompozitlerin gama radyasyonu azaltma özelliklerini incelemek için kütle azaltma katsayıları, radyasyon koruma verimleri, radyasyon geçirme oranları, lineer azaltma katsayıları, yarı kalınlık değerleri, onda-bir kalınlık değerleri, serbest ortalama yol değerleri, atomik, moleküler ve elektronik tesir kesitleri, etkin atom numaraları, etkin elektron yoğunlukları ve etkin iletkenlik parametrelerinin deneysel ve teorik sonuçları elde edilmiştir. Deneysel çalışmalar 59,5 keV ile 1408,0 keV foton enerjisi aralığında 22Na, 54Mn, 57Co, 60Co, 133Ba, 137Cs, 152Eu ve 241Am radyoaktif kaynaklarından yayımlanan yirmi iki farklı enerjide ve HPGe dedektörü yardımı ile gerçekleştirilmiştir. Elde edilen her bir deneysel sonuç, teorik sonuçlar ile karşılaştırılmıştır. Bi2(WO4)3 veya Sn ile güçlendirilmiş polimer kompozitlerin radyasyon koruma verimi, radyasyon geçirme oranı, kütle ve lineer azaltma katsayıları, yarı kalınlık ve onda-bir kalınlık değerleri, serbest ortalama yol parametresi, moleküler, atomik ve elektronik tesir kesitleri, etkin atom numarası, elektron yoğunluğu ve iletkenlik gibi 13 farklı radyasyon zırhlama parametresi düşük, orta ve yüksek enerji bölgelerinde incelendiğinde, Bi2(WO4)3 ile güçlendirilmiş polimer kompozitlerin Sn ile güçlendirilmiş olanlara göre daha iyi bir radyasyon zırh malzemesi olduğu ve özellikle düşük enerji bölgesinde radyasyonu daha iyi azalttığı yapılan çalışmalar sonucunda bulunmuştur.; ABSTRACT: In this study, inorganic compounds were added into the composite to improve the radiation shielding properties of polymer composites. Since the doped inorganic compounds were targeted to increase the effective atomic number and density of the material, it caused an increase in the radiation shielding properties of the produced composites. In our study, the trend of this increase was investigated by adding different ratios of inorganic compounds to the composites. In experimental studies, polymer composites based on unsaturated polyester and doped with inorganic compounds were prepared and their gamma radiation reduction properties were investigated. A polymer matrix was prepared by combining unsaturated polyester resin with methyl ethyl ketone peroxide (MEKP) and cobalt octoate (6%), and Bi2(WO4)3 or Sn materials were added to this polymer matrix at certain rates as filling material. In order to examine the gamma radiation reduction properties of the obtained polymer composites, mass attenuation coefficients, radiation shielding efficiencies, radiation transmission rates, linear attenuation coefficients, half thickness values layer, tenth thickness values layer, mean free path values, atomic, molecular and electronic cross sections, effective Experimental and theoretical results of atomic numbers, effective electron densities and effective conductivity parameters were obtained. Experimental studies were carried out with the help of HPGe detector at 22 different energies emitted from 22Na, 54Mn, 57Co, 60Co, 133Ba, 137Cs, 152Eu ve 241Am radioactive sources in the photon energy range of 59.5 to 1408.0 keV. Each experimental result obtained was compared with the theoretical results. When 13 different radiation shielding parameters are examined in low, medium and high energy regions, such as adiation shielding efficiency, radiation transmission rate, mass and linear attenuation coefficients, half thickness and one-tenth thickness values layer, mean free path parameter, molecular, atomic and electronic cross sections, effective atomic number, electron density and conductivity of polymer composites reinforced with Bi2(WO4)3 or Sn. We found as a result of studies, for this polymer composites reinforced with Bi2(WO4)3 are a better radiation shielding material than those reinforced with Sn, and they reduce radiation better, especially in the low energy region. 2021-01-01T00:00:00Z https://acikerisim.bingol.edu.tr/handle/20.500.12898/6316 Fotokromik Organik Ligandlar Kullanılarak Elde Edilen Fotodiyotların Fabrikasyonu ve Elektriksel Karakterizasyonu YİĞİT, Evin ÖZET: Bu çalışmada temel organik moleküler baz alınarak iki farklı organik fotokromik malzeme kullanılarak yarıiletken tabanlı fotodiyotların fabrikasyonu ve karakterizasyonu yapılmıştır. Bu iki aygıt D1 ve D2 olarak adlandırılmıştır. Arayüzey organik malzemelerin optik özellikleri 400-600 nm dalga boyu aralığında alınan UV-ölçümleri ile analiz edilerek bu malzemelerin bant aralığı 2,25 eV, 2,26 eV olarak hesaplandı. Termal buharlaştırma yöntemi ile p-Si parlak yüzeyine organik kompleksler ince film şeklinde kaplandı. Fabrikasyonu tamamlanan malzemelerin yüzey morfolojisini incelemek için AFM cihazı kullanıldı. Yüzey pürüzlülükleri sırasıyla 0,98 nm, 0,25 nm olarak elde edildi. Elde edilen aygıtların fotovoltaik performansını anlayabilmek için karanlık ve güneş simülatörü ile 30-100 mW/cm2 arasında farklı ışık şiddetleri altında elde edilen akım-gerilim (I-V) karakteristiğinden engel yüksekliği, idealite faktörü, seri direnç, şönt direnç ve doğrultma oranı parametreleri hesaplandı. Organik arayüzeye sahip fotodiyotların, ışık şiddetinin artması ile ters beslem bölgesinde akımın arttığı gözlemlendi. Karanlık ortamda alınan ölçümlerin Termiyonik emisyon (TE) teorisi ile D1, D2 organik arayüzeyli aygıtların engel yüksekliği sırasıyla 0,73 eV, 0,73 eV ve idealite faktörleri 1,86 ve 1,88 olarak hesaplandı. Sadece bir fiziksel parametrenin değişimi ile değil aynı zamanda farklı bir fiziksel uyaran olan sıcaklıkla ilgili diyot karakteristiği de incelenmiştir. 100-320 K aralığında 20K’lik sıcaklık adımları ile, aygıt karakteristiğinde meydana gelen değişimler incelenmiştir. Yapılan ölçümlerde yarı logaritmik I-V eğrileri Ohm kanunu, TE, Norde ve Cheung fonksiyonları yardımıyla (Io) sızıntı akımı, (n) idealite faktörü, (Φb) bariyer yüksekliği ve (Rs) seri direnç diyot parametreleri hesaplanıldı. Frekansa bağlı diyot parametrelerini incelemek üzere 5-5000 kHz aralığında kapasite, iletkenlik, seri direnç diyot parametreleri incelendi.; ABSRACT: In this study, fabrication and characterization of semiconductor-based photodiodes were performed using two different organic photochromic materials based on basic organic molecules. These two devices are named D1, D2. The optical properties of the interfacial organic materials were analyzed by UV-measurements and the band gap was calculated as 2.25 eV, 2.26 eV. Organic complexes were coated in the form of thin films on the p-Si surface with a thermal evaporation device. AFM device was used to examine the surface morphology of the fabricated materials. In order to understand the photovoltaic performance, the barrier height, ideality factor, series resistance, shunt resistance and rectification ratio parameters were calculated under different light intensities between 30-100 mW/cm2 under the dark and solar simulator. It was observed that the current in the reverse bias region increased with the increase of light intensity of photodiodes with organic interfaces. The barrier height of the D1, D2 organic interface photodiodes was calculated as 0.73 eV, 0.73 eV, and the ideality factors were calculated as 1.86 and 1.88, respectively, with the thermionic emission (TE) theory of the measurements taken in the dark condition. The diode characteristic of not only the change of a physical parameter, but also a different physical stimulus, temperature, has been investigated. The change in the device was investigated with 20K temperature steps in the range of 100-320 K. In the measurements made, (Io) leakage current, (n) ideality factor, (Φb) barrier height and (Rs) series resistance diode parameters were calculated with the help of semi-logarithmic I-V curves, Ohm's law, TE, Norde and Cheung functions. In order to examine the frequency dependent diode parameters, the diode parameters of capacitance, conductivity and series resistance in the range of 5-5000 kHz were examined. 2022-01-01T00:00:00Z https://acikerisim.bingol.edu.tr/handle/20.500.12898/6311 İnce Film CIGSSe Soğurucu Katmanına Sahip Güneş Hücrelerinde Stokiyometrik Oranların Akım-İletime Etkisi ERİŞ, Ferhat ÖZET: Bu çalışmada; sıcaklığa bağımlı akım-gerilim ölçümlerinden yararlanılarak ZnO/CdS/Cu(In,Ga)(S,Se)2 heteroeklem güneş hücrelerinde baskım akım-iletim mekanizmaları belirlenmesi amaçlanmıştır. Cu(In,Ga)(S,Se)2 soğrucu katmanının stokiyometrik oranlarına bağlı olarak hem ışık altında hem de karanlık altında akımiletim mekanizması değişimleri incelenmiştir. Buna göre Cu ve S oranı yüksek hücrelerde baskın olan iletim mekanizması CdS/soğurucu ara yüzeyinde görülürken, Cu ve S oranı düşük aygıtlarda soğurucu katmanın boşaltılmış bölgesinde görülmektedir.; ABSTRACT: In this study the aim is to determine dominant current-transmission mechanisms in ZnO/CdS/Cu(In,Ga)(S,Se)2 heterojuntion solar cells by using temperature dependent current-voltage measurements. Depending on the stochiometric ratios of Cu(In,Ga)(S,Se)2 adsorbent layer, current-transmission mechanism was examined both under light and in the dark. Accordingly the transmission mechanism which is dominant in cells with high Cu and S ratio is observed in CdS/adsorbent interface while it is observed in emptied section of adsorbent layer in devices where Cu ad S ratio is low. 2015-01-01T00:00:00Z https://acikerisim.bingol.edu.tr/handle/20.500.12898/6291 Thiourea Katkılı CdO Fotoaktif Malzeme Geliştirilmesi KOÇUK, Harun ÖZET: Kadmiyum oksit (CdO) ve Tiyoüre (Th) katkılı CdO ince filmler soda kireç camı (SLG) ve kristal p-tipi Si (100) substratlar üzerinde çeşitli Th katkı konsantrasyonları için (%0,3, 0,5, 0,7'de) spin kullanılarak biriktirildi. Filmlerdeki kristalit boyutu, kafes sabiti, dislokasyon yoğunluğu (δ) ve gerinim gibi bazı yapısal parametreler, kübik yapıya sahip polikristal yapının ve (111) tercihli yönelimin doğrulandığı XRD analizinden elde edilmiştir. CdO ince film, Th katkılamadan sonra kristal fazda herhangi bir değişiklik göstermediği görüldü. Optik çalışma, Th dopinginin geçirgenlik, absorbans ve yansıma spektrumlarında önemli değişikliklere neden olduğunu ortaya çıkardı. %0,3 Th katkılı CdO ince filmler için %80'in üzerinde optik geçirgenlik elde edildiği görüldü. Th katkılı CdO/p-Si heteroeklem düşük doğrultucu karakter ve düşük ışık hassasiyeti sergilemiştir.; ABSTRACT: Cadmium oxide (CdO) and Thiourea (Th) doped CdO thin films were deposited on soda lime glass (SLG) and crystalline p-type Si (100) substrates for various Th doping concentrations (0.3, 0.5, 0.7 at.%) using spin coating method. Some structural parameters such as the crystallite size, lattice constant, dislocation density (δ) and strain in the films were obtained from XRD analysis in which the polycrystalline structure with cubic nature and (111) prefential orientation was confirmed. CdO thin film has not shown any change in crystal phase after Th doping. The optical study emerged that the Th doping caused important changes in the transmittance, absorbance and reflectance spectra. The optical transmittance above 80% is obtained for 0.3% Th doped CdO thin films. Th doped CdO/p-Si heterojunction exhibited low rectifying character and light sensitivity. 2022-01-01T00:00:00Z