Show simple item record

dc.contributor.advisorProf. Dr. Murat SOYLUen_US
dc.contributor.authorCOŞKUN, MELTEM
dc.date.accessioned2023-01-19T07:19:46Z
dc.date.available2023-01-19T07:19:46Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.urihttp://acikerisim.bingol.edu.tr/handle/20.500.12898/5358
dc.description.abstractÖZET Çinko oksit (ZnO) nanofiberlerin sentezi, 2-methoxyethanol ve monoethanolamine kullanılarak, çinko asetat dehidrat (ZnAc)’ın molar konsantrasyonunun değiştirilmesi ile gerçekleştirildi. X-ışını difraksiyon ölçümleri, ZnO ince filmlerin yüksek çözelti konsantrasyonuna sahip numunerinin daha iyi kristallenme özelliği sergilediğini gösterdi. Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) görüntüleri ZnO nanofiberlerin varlığını gösterdi. Artan çözelti konsantrasyonu ile değişen optik özellikler, geçirgenlik, soğurma ve yansıma ölçümlerinden anlaşıldı. n-tip ZnO ince filmlerin band gap (Eg) daralması (3,28 eV’dan 3,22 eV’a), molar konsantrasyondaki artış ile soğurma kenarı boyunca gözlendi. n-ZnO/p-Si heteroeklem yapısı düşük doğrultma oranı (Rectification Ratio, RR) gösterdi. Akım-Voltaj (I-V) karakteristikleri, iletkenliğin azalan çözelti konsantrasyonu (0.5 M’dan 0.2 M’a) ile arttığını ortaya çıkardı. Sonuçta, çözelti konsantrasyonunun molar yüzdesinin optimum değerinin fotovoltaik ve optoelektronik uygulamalar için umut verici olduğu görüldü.en_US
dc.description.abstractABSTRACT Zinc oxide (ZnO) nanofibers were synthesised by changing the molar concentration (M) of zinc acetate dihydrate (ZnAc) using 2-methoxyethanol and monoethanolamine. X-ray diffraction measurements indicated that ZnO thin films exhibited good crystallinity at high precursor concentration. Atomic force microscopy (AFM) images showed that ZnO formed from nanofibers. The recorded transmittance, absorbance and reflectance measurements showed that the optical properties changed as the precursor concentration increased. The forbidden energy gap (Eg) narrowing from 3,28 eV to 3,22 eV for nanofiber structured ZnO thin films was seen through the absorption edge with increase in molar concentration. The heterojunctions (n-ZnO/p-Si) obtained by ZnO formed on p-type Si substrate exhibited low rectifying ratio (RR). The current-voltage (I-V) characteristics showed that the conductivity increased with decreasing molar concenration (from 0.5 to 0.2 M). It was seen that an optimum value of precursor concentration at molar percentage provided promising results for photovoltaic and optoelectronic applications.en_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjecttesten_US
dc.subjectZnO ince film, molar konsantrasyon, optik özellikler, diyot, elektriksel karakteristikler.en_US
dc.subjecttest 2en_US
dc.subjectZnO thin film, molar concentration, diode, optical properties, electrical characteristics.en_US
dc.titleZnO İNCE FİLMLERİN OPTİK VE AYGIT ÖZELLİKLERİNİN MOLARİTE İLE KONTROLÜen_US
dc.title.alternativeCONTROLLING OF OPTICAL AND DEVICE PROPERTIES OF ZnO THIN FILMS BY MOLARITYen_US
dc.typeMaster's Thesisen_US
dc.contributor.departmentPhysicsen_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record