Thiourea Katkılı CdO Fotoaktif Malzeme Geliştirilmesi

Abstract

ÖZET: Kadmiyum oksit (CdO) ve Tiyoüre (Th) katkılı CdO ince filmler soda kireç camı (SLG) ve kristal p-tipi Si (100) substratlar üzerinde çeşitli Th katkı konsantrasyonları için (%0,3, 0,5, 0,7'de) spin kullanılarak biriktirildi. Filmlerdeki kristalit boyutu, kafes sabiti, dislokasyon yoğunluğu (δ) ve gerinim gibi bazı yapısal parametreler, kübik yapıya sahip polikristal yapının ve (111) tercihli yönelimin doğrulandığı XRD analizinden elde edilmiştir. CdO ince film, Th katkılamadan sonra kristal fazda herhangi bir değişiklik göstermediği görüldü. Optik çalışma, Th dopinginin geçirgenlik, absorbans ve yansıma spektrumlarında önemli değişikliklere neden olduğunu ortaya çıkardı. %0,3 Th katkılı CdO ince filmler için %80'in üzerinde optik geçirgenlik elde edildiği görüldü. Th katkılı CdO/p-Si heteroeklem düşük doğrultucu karakter ve düşük ışık hassasiyeti sergilemiştir.

ABSTRACT: Cadmium oxide (CdO) and Thiourea (Th) doped CdO thin films were deposited on soda lime glass (SLG) and crystalline p-type Si (100) substrates for various Th doping concentrations (0.3, 0.5, 0.7 at.%) using spin coating method. Some structural parameters such as the crystallite size, lattice constant, dislocation density (δ) and strain in the films were obtained from XRD analysis in which the polycrystalline structure with cubic nature and (111) prefential orientation was confirmed. CdO thin film has not shown any change in crystal phase after Th doping. The optical study emerged that the Th doping caused important changes in the transmittance, absorbance and reflectance spectra. The optical transmittance above 80% is obtained for 0.3% Th doped CdO thin films. Th doped CdO/p-Si heterojunction exhibited low rectifying character and light sensitivity.