SOL JELYÖNTEMİ İLE OPTİK UYGULAMALAR İÇİN Se-Ni ORTAK KATKILI KADMİYUM OKSİT FİLMLERİN ÜRETİLMESİ

Abstract

ÖZET Kadminyum oksit (CdO) opto-elektronik uygulamalarındaki özelliklerinden dolayı metal oksit nano yapılı malzemelerin içinde yaygın olarak kullanılmakta olan yarı iletken bir malzemedir. Bu çalışmamızda sol-jel spin metoduyla katkılı kadmiyum oksit nano yapılı yarı iletken üretimi ile ilgili bir araştırmayı kapsamaktadır. Kadmiyum oksit ince nano yapılı filmi sol-jel spin kaplama yöntemiyle 470 0C sentezlenmiştir. Elde edilen kadmiyum oksit ince filmlerin bant aralığı (Eg) 2,05-2,47 eV arasında hesaplanmıştır. Yapı analizi XRD cihazı,boyut büyüklüğü ve yüzey pürüzlülüğü AFM ile belirlenmiştir. Optik parametrelere absorpsiyon ve kırılma spektrumları kullanılarak hesaplanmıştır. Katkılanmanın etkisi ile yapı ve optik ölçümlerdeki değişikler hesaplanmıştır. Tüm filmlerde floresans özellik ölçülmüştür.

ABSTRACT Cadmium oxide (CdO) is a semiconductor material that is widely used in metal oxide nanostructured materials due to its properties in opto-electronic applications. This study covers a research on the production of doped cadmium oxide nanostructured semiconductors using the sol-gel spin method. Cadmium oxide thin nanostructured film was synthesized by sol-gel spin coating method at 470 0C. The band gap (Eg) of the obtained cadmium oxide thin films was calculated between 2.05-2.47 eV. Structure analysis XRD device, size magnitude and surface roughness were determined by AFM. Optical parameters were calculated using absorption and refraction spectra. Changes in structure and optical measurements due to the effect of doping were calculated. Fluorescence properties were measured in all films.