Show simple item record

dc.contributor.advisorSoylu, Muraten_US
dc.contributor.authorKader, Harem Salih
dc.date.accessioned2022-04-26T07:14:33Z
dc.date.available2022-04-26T07:14:33Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.urihttp://acikerisim.bingol.edu.tr/handle/20.500.12898/5335
dc.description.abstractCdO thin films were deposited on p-Si and glass substrates by sol-gel spin coating method. X-ray diffraction (XRD), ultraviolet-visible (UV/Vis) spectrophotometer and atomic force microscopy (AFM) were used to investiate some properties of material. From these data, cubic crystal structure, surface consisting of nanoparticles and the band gap of 2.29 eV were confirmed, resepectively. CdO/p-Si heterojunction shows rectifying and photodiode behavior, evaluating the current-voltage (I-V) characteristics in dark and under light. The photocurrent increases with increasing illuminating intensity. While CdO/p-Si heterojunction shows photodiode property, solar cell performance need to improve, showing the open circuit voltage (Voc) of 128 meV. CdO/p-Si heterojunction diodes exhibited a non-ideal behavior with the ideality factor greater than unity that could be ascribed to the interfacial layer, interface states and series resistance. Results shows that CdO/p-Si heterojunction can be used as a photodetector in the optoelectronic applications.en_US
dc.description.abstractKatkısız CdO ince filmler sol-gel dönel kaplama yöntemi ile cam ve p tip Si altlıklar üzerine büyütüldü. X-ışını difrasiyon (XRD), ultraviolet-visible (UV/Vis) spektroskopisi ve atomik kuvvet mikroskobu materyalin yapısal, optik ve morfolojik özelliklerini araştırmak için kullanıldı. Elde edilen sonuçlardan kübik kristal yapı, nano parçacıklardan oluşan yüzey ve 2.29 eV'luk optik bant aralığı elde edildi. CdO/p-Si heteroeklem yapı, karanlık ve ışık şartları altında gerçekleştirilen akım-voltaj (I-V) ölçümleri ile doğrultucu ve fotodiyot özelliği gösterdi. Foto akımın artan aydınlanma şiddeti ile arttığı gözlendi. CdO/p-Si heteroeklemi foto diyot özelliği gösterirken, 128 meV'luk açık devre voltajı ( the open circuit voltage, Voc) göstererek, güneş pili (solar cell) özelliğinin zayıf olduğu görüldü. CdO/p-Si heteroeklemi '1' den büyük idealite faktörü ile ideal olmayan diyot davranışı gösterdi.Bu durum arayüzey tabakasına, arayüzey hallerine ve seri dirence atfedildi. Sonuçlar CdO/p-Si heteroekleminin oproelektronik uygulamalarda bir fotodiyot olarak kullanılabileceğini gösteriyor.en_US
dc.language.isoEnglishen_US
dc.publisherBingol University, Institute of Sciencesen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectSol-gel growthen_US
dc.subjectCdO thin filmen_US
dc.subjectdiodeen_US
dc.subjectelectrical propertiesen_US
dc.subjectSol-gel büyütmeen_US
dc.subjectCdO ince filmen_US
dc.subjectdiyoten_US
dc.subjectelektriksel özellikleren_US
dc.titleFabrication and electrical characterization of CdO thin films: Diode applicationsen_US
dc.title.alternativeCdO ince filmlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu: Diyot uygulamalarıen_US
dc.typeMaster's Thesisen_US
dc.contributor.departmentPhysicsen_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record