https://acikerisim.bingol.edu.tr/handle/20.500.12898/1361 Physics 2026-11-05T18:35:03Z https://acikerisim.bingol.edu.tr/handle/20.500.12898/6479 Sol-Gel Yöntemi Kullanılarak Metal/NİPc/İnorganik Yarıiletken Yapıların Oluşturulması ve Elektriksel Parametrelerinin Belirlenmesi EFE, Umran ÖZET: Bu çalışmada p-tipi Silisyum kristali üzerine damlatma yöntemi kullanılarak nikel fitalosiyanin (NiPc) kaplandı. NiPc ince film üzerine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak vakum altında saf alüminyum buharlaştırıldı ve Al/NiPc/p-Si diyotu üretildi. Al/NiPc/p-Si yarıiletken diyotun ışıksız ve ışıklı ortamda akım-voltaj (I-V) karakteristiği ölçüldü. I-V grafiği yardımıyla bu yapının doğrultucu özelliğe sahip olduğu gözlendi. Işıklı ortamdaki ölçümler 300 Watt ışık altında gerçekleştirildi ve bu ölçümler sonucunda diyotun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V) ve kondüktans-gerilim (G-V) ölçümleri alındı. C-V ölçümleri kullanılarak bulunan C-2-V grafiklerinin eğimlerinden diyotun difüzyon potansiyeli, engel yüksekliği ve taşıyıcı konsantrasyonu değerleri hesaplandı. Ayrıca Cheung ve Norde fonksiyonları kullanılarak Al/NiPc/p-Si Schottky kontağın diyot parametreleri hesaplandı. Ayrıca kapasite-frekans (C-f) ve kondüktans-frekans (G-f) ölçümleri 0,40V-1,60V aralığında ΔV= 0,05 V adımla alındı.; ABSTRACT: In this study, nickel phthalocyanine (NiPc) material has been coated onto p-type silicon by using drop cast method. Al metal was grown on the NiPc thin film by thermal evaporator system under vacuum condition and then Al/NiPc/p-Si diode was fabricated. It was performed current–voltage (I-V) measurements of Al/NiPc/p-Si semiconductor diode under dark and light illumination conditions at room temperature. It has been seen that this structure exhibits rectifying behavior from I-V plot. The I-V measurement for the illumination effect has been performed by 300 watt light. It has been seen that the diode has photodiode mode. Capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) measurements were performed as a function of frequency. The values of diffusion potential, barrier height and acceptor carrier density were calculated from the slope of C-2-V plot obtained by using C-V measurements. Also the diode parameters of Al/NiPc/p-Si Schottky contact were extracted by using Cheung and Norde functions. Furthermore, the measurements of capacitance-frequency (C-f) and conductance-frequency (G-f) were performed in the range of 0.40V-1.60V with a step of ΔV= 0.05 V. 2016-01-01T00:00:00Z https://acikerisim.bingol.edu.tr/handle/20.500.12898/6410 Silisyum Tabanlı Alq3 Arayüzeyli Fotodiyotların Elektriksel ve Optiksel Özelliklerinin İncelenmesi CANLI, Serdal ÖZET: Alq3 molekülünün diyot üzerindeki fotovoltaik performansını anlayabilmek amacıyla termal buharlaştırma tekniğiyle Al/p-Si/Al (referans) ve Al/Alq3/p-Si/Al diyot yapılarının fabrikasyonu yapıldı. Fabrikasyonu yapılan referans ve organik arayüzey malzemeli diyot yapılarının güneş simülatörü altında karanlıkta ve 30-100 mW/cm2 arasında farklı ışık şiddetleri altında açık devre voltajı, kısa devre akımı, doluluk faktörü, güneş enerji verimi gibi fotovoltaik parametreleri ölçüldü. Güneş simülatörü altında alınan ölçümlerden elde edilen sonuçlara göre referans ve organik arayüzeyli numuneler fotodiyot özellik gösterdiler. Bununla beraber Alq3 molekülünün kullanıldığı organik arayüzey malzemeli fotodiyotun, aydınlatma şiddeti arttırıldıkça referans diyota kıyasla ters beslem bölgesindeki akımı daha fazla arttırdığı görüldü. Fabrikasyonu yapılan referans ve organik arayüzey malzemeli numunelerin karanlıkta I-V ölçümleri alınmış, yapılan bu ölçümlerden idealite faktörü ve engel yüksekliği hesaplanmıştır. Ayrıca organik arayüzey malzemeli numune için 80-320 K aralığında elektriksel ölçümlerden numune sıcaklığına bağlı karakteristik diyot parametreleri hesaplanmıştır. Oda sıcaklığında karanlıkta referans ve organik arayüzeyli diyotun engel yüksekliği ve idealite faktörü değerleri sırasıyla 0,79 eV, 1,61 ve 0,81 eV, 1,44 olarak hesaplandı. Organik arayüzeyli diyotun 80-320 K aralığında sıcaklık arttıkça engel yüksekliğinin arttığı, idealite faktörünün ise azaldığı görüldü. Kullanılan organik arayüzey malzemenin optik özellikleri ve yüzey morfolojisi UV, SEM ve AFM cihazları kullanılarak incelendi.; ABSRACT: The Al/p-Si/Al (reference) and Al/Alq3/p-Si/Al diode structures were fabricated by thermal evaporation technique in order to understand the photovoltaic performance of Alq3 molecule used as organic interface material on the diode. The fabricated reference and interfacial material with organic Alq3 diode structures were measured under the solar simulator, and the photovoltaic parameters such as open circuit voltage, short circuit current, fillfactor and conversion efficiency under different light intensities between 30-100 mW/cm2 were measured. According to the results obtained under solar simulator, the samples with reference and organic interface showed photodiode. However, it was observed that the photodiode with the organic interface material using the Alq3 molecule caused to increase the current in the reverse bias region compared to the reference diode as the intensity of illumination was increased. The I-V measurements were collected under the dark for samples with reference and organic interface materials were employed to calculate ideality factors and barrier heights. In addition, the temperature dependent characteristic diode parameters were calculated from the electrical measurements in the 80-320 K range for the reference and organic interface material samples. . The barrier height and ideality factor values of the diode for reference and organic interface material sample in the dark at room temperature were calculated as 0.79 eV, 1.61 and 0.81 eV, 1.44, respectively. As the temperature increased in the from 80 to 320 K, the diode with the organic material interface, the barrier height values increased and the ideality factor values decreased. The optical properties and surface morphology of the organic interface material were investigated by using UV, SEM and AFM instruments. 2018-01-01T00:00:00Z https://acikerisim.bingol.edu.tr/handle/20.500.12898/6371 Batman İlindeki Sularda Radon Konsantrasyonunun Tayini ALP, Mehmet Suat ÖZET: Radon (222Rn) maruz kaldığımız radyasyonun yaklaşık % 50’sini oluşturan renksiz, kokusuz ve duyu organlarıyla algılanamayan radyoaktif asal bir gazdır. Yüksek dozlarda radona maruz kalındığında başta akciğer kanseri olmak üzere birçok hastalıklara sebep olmaktadır. Bundan dolayı son yıllarda canlıların en önemli ihtiyacı olan sulardaki 222Rn konsantrasyonunu belirlemeye yönelik çalışmalarında önemli bir artış görülmektedir. Bu tezin amacı, Batman ilindeki içme sularındaki 222Rn konsantrasyonunu belirlemek; sulardan kaynaklanan radyoaktif doz hesaplarını yaparak, Batman ilinde yaşayan insanların bu sulardan yıllık ne kadar doza maruz kaldıklarını tespit etmektir. Ayrıca Avrupa Birliği’ne giriş sürecinde olan ülkemiz için bir veri tabanı oluşturmaktır. Su örnekleri, Genitron Instruments tarafından üretilen AlphaGUARD PQ 2000PRO radon dedektörü ile analiz edilmiştir ve bu çalışmada elde edilen sonuçlar uluslararası önerilen değerlerle kıyaslanmıştır. Bu tez çalışmasında elde edilen radon konsantrasyonu değerleri 0,883 ± 0,349 Bq/L ile 0,195 ± 0,103 Bq/L arasında değişmekte ve ortalama değeri 0,455 Bq/L olarak bulunmuştur.; ABSTRACT: Radon (222Rn) is a colourless, odourless and radioactive gas that cannot be observed by human sense and which makes % 50 of radiation we are exposed to. When exposed in high doses of radon, it causes a number of illnesses notably lung cancer. Thus the number of researches on measurement to determine the 222Rn concentrations in waters a vital need for all creatures has increased dramatically recently. The aim of this study is to determine 222Rn concentration in drinking waters in Batman Province and to find out how much dose people living in Batman province are exposed to it annually by calculating the radioactive dose stemming from waters. Furthermore, it is aimed to compose a data base for our country which is on the verge of entering EU. Water samples were analysed with the AlphaGUARD PQ 2000PRO radon detector produced by Genitron Instruments and the results obtained in this study were compared with the international recommended values. The results obtained from this study for radon concentration ranged from 0.883 ± 0.349 Bq/L to 0.195 ± 0.103 Bq/L, and mean concentration was found as 0.455 Bq/L. 2014-01-01T00:00:00Z https://acikerisim.bingol.edu.tr/handle/20.500.12898/6350 Si Tabanlı Ru(II) Kompleks Yapısına Alq3 Organik Bileşiğinin Elektriksel ve Fotovoltaik Özelliklerini Arttırmadaki Etkisi ŞAHİNKAYA, Mehmet Akif ÖZET: Kompleks yapıların diyot üzerinde karakterizasyonlarını anlayabilmek amacıyla Ru(II) ve Alq3 kompleks-organik molekülleri döndürerek kaplama/spin coating ve termal buharlaştırma teknikleri kullanılarak yarıiletken malzeme olan p-tipi-Si alttaş üzerine shottky diyot fabrikasyonu yapıldı. Kompleks moleküllerin diyot akım iletimine etkisi incelenirken bir adet referans olarak arayüzeysiz Al/p-Si/Al üç adet arayüzey madde miktarları değişen Al/Ru(II)+Alq3/p-Si/Al shottky diyot fabrikasyonu gerçekleştirildi. Arayüzey solisyonlarının optik özellikleri UV-Absorbasyon’da analiz edilerek bant aralığı 2.23 eV, 2.31 eV, 2.33 eV olarak hesaplanıldı. Spin coating cihazı ile p-Si parlak yüzeyine komplekslerimiz ince film şeklinde kaplandı. SEM ve AFM cihazları kullanılarak yüzey morfolojisi incelendi. Fotovoltaik performansını anlayabilmek için karanlık ve güneş simülatörü altında 30-100 mW/cm2 arasında farklı ışık şiddetleri altında açık devre voltajı Voc, kısa devre akımı Isc, doluluk faktörü FF, güneş enerji verimliliği η gibi fotovoltaik parametreleri incelendi. Organik arayüzeye sahip fotodiyotların, arayüzeysiz referans diyota nazaran ışık şiddetinin artması ile ters beslem bölgesinde akımın nisbeten daha fazla arttığı gözlemlenildi. Karanlık ortamda alınan ölçümlerin TE teorisi ile referans ve organik madde miktarındaki artan oranlarla engel yüksekliği 0,78 eV/ 0,79 eV/ 0,76 eV/ 0,79 eV ve idealite faktörleri 1,82 / 4,73 / 3,65 / 4,29 olarak hesaplanıldı. Bir diğer diyot karakteristiği analiz yöntemi olarak sıcaklığa bağlı diyot parametreleri incelendi. 60-320 K aralığında sıcaklık değişiminde yapılan ölçümlerde yarı logaritmik akım-gerilim eğrileri TE, Norde ve Cheung fonksiyonları yardımıyla Io sızıntı akımı, n idealite, Φb bariyer yüksekliği ve Rs seri direnç diyot parametreleri hesaplanıldı. Frekansa bağlı diyot parametrelerini incelemek üzere 100-2000 kHz aralığında kapasite, iletkenlik, seri direnç diyot parametreleri incelendi.; ABSTRACT: In order to understand the characterization of complex structures on the diode, the shottky diode fabrication was performed on p-type-Si substones, semiconductor material, by using Ru (II) and Alq3 complex-organic molecules by using spin coating and thermal evaporation techniques. While the effect of complex molecules on diode current conduction was examined, Al / Ru (II) + Alq3 / p-Si / Al shottky diode fabrication was performed as a reference. The optical properties of the interfacial solutions were analyzed by UV-Absorption and the band gap was calculated as 2.23 eV, 2.31 eV, 2.33 eV. Our complexes were coated with thin coating on the p-Si wafer surface with spin coating device. Surface morphology was examined using SEM and AFM instruments. In order to understand photovoltaic performance, photovoltaic parameters such as open circuit voltage Voc, short circuit current Isc, fullness factor FF, solar energy efficiency η, under dark and solar simulator under different light intensities between 30-100 mW/cm2 were examined. It was observed that the photodiodes with organic interface increased the current in the reverse feed region relatively with the increase in light intensity compared to the reference diode without interface. Barrier height 0.78 eV / 0.79 eV / 0.76 eV / 0.79 eV and ideality factors 1.82 / 4.73 / 3.65 / 4.29. Temperature-dependent diode parameters were analyzed as another diode characteristic analysis method. In the measurements carried out in the temperature range of 60-320 K, semi-logarithmic current-voltage curves were calculated by using TE, Norde and Cheung functions, I0 leakage current, n ideality, Φb barrier height and Rs series resistance diode parameters. In order to examine frequency dependent diode parameters, capacitance, conductivity, series resistance diode parameters in 100-2000 kHz range were examined. 2020-01-01T00:00:00Z